Inicio ProductosDiamante mecánico CVD

9x9x0.3mm CVD mecánico Diamante crudo sin cortar Diamante sintético cultivado en laboratorio Semillas

9x9x0.3mm CVD mecánico Diamante crudo sin cortar Diamante sintético cultivado en laboratorio Semillas

Datos del producto:
Lugar de origen: Hunan, China
Nombre de la marca: Infi
Número de modelo: El JSD
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10 PCS
Precio: To be negotiated
Detalles de empaquetado: Envasado en una caja y luego en cartón
Tiempo de entrega: 7 días laborables
Condiciones de pago: T/T, Western Union y Paypal
Capacidad de la fuente: 100 piezas/7 días
Contacto
Descripción detallada del producto
Apoyo personalizado: Producción de productos OEM, ODM El color: Sin color
orientación: 4pt/100 Aplicación: Semillas de enfermedades cardiovasculares, investigación
Resaltar:

Diamante CVD mecánico sintético sin cortar

,

9x9x0.3 mm Diamante sin cortar de laboratorio

,

Diamante de laboratorio mecánico sin cortar

Semillas de diamante CVD mecánico de 9x9x0,3 mm, sin cortar, sintéticas, cultivadas en laboratorio
Especificaciones del producto
Atributo Valor
Soporte personalizado OEM, ODM
Color Incoloro
Orientación 4pt/100
Aplicación Semillas CVD, investigación
Descripción del producto

El diamante CVD (deposición química de vapor) de un solo cristal se refiere a un tipo de diamante que se produce utilizando el proceso CVD. En este proceso, una mezcla de gases que contienen carbono se descompone en condiciones controladas, lo que resulta en la formación de una capa de diamante de un solo cristal sobre un sustrato.

El diamante CVD de un solo cristal es conocido por su excepcional dureza y conductividad térmica, lo que lo hace útil para una variedad de aplicaciones industriales y científicas, como herramientas de corte y rectificado, difusores de calor y componentes ópticos.

  • Dureza (microdureza): 80~150GPa
  • Módulo de Young: 1150~1300GPa
  • Coeficiente de fricción: 0,05~0,05
  • Coeficiente de expansión térmica: 10-.K-l
  • Conductividad térmica: 1500-2000 w/(m*K)
Propiedades del diamante de un solo cristal CVD

Dado que el diamante CVD no contiene ningún catalizador metálico, su estabilidad térmica es cercana a la del diamante natural. Al igual que el diamante policristalino sintetizado artificialmente a alta temperatura y alta presión, los granos de diamante CVD también están dispuestos de forma desordenada, sin planos de escisión frágiles, por lo que son isótropos.

Utilizando el método de deposición química de vapor asistida por plasma de microondas (MPACVD), el sistema de resonancia de microondas se utiliza para descomponer el gas que contiene carbono y el gas corrosivo a bajas y medianas presiones para generar plasma, y ​​se diseña la estrategia de crecimiento del modelo de cristal de diamante de un solo cristal, de modo que el cristal de diamante se puede utilizar. El crecimiento homoepitaxial se logra en las direcciones de crecimiento 100 y 110 y 111 del cristal semilla de diamante tipo IIb.

Especificaciones técnicas
Aplicación sugerida Sustratos/semillas para el crecimiento CVD de un solo cristal
Proceso de crecimiento de cristales CVD
Color Incoloro
Tamaños disponibles 3x3x0.3mm, 4x4x0.3mm, 5x5x0.3mm,
6x6x0.3mm, 7x7x0.3mm, 8x8x0.3mm,
9x9x0.6mm, 10x10x0.3mm, 11x11x0.3mm,
12x12x0.3mm, 13x13x0.3mm, 15x15x0.3mm
Beneficios
  • La longitud, el ancho y el grosor tienen todas las tolerancias positivas
  • No hay puntos negros policristalinos, grietas bajo la lupa de 20x
  • El corte es perfecto sin pequeñas esquinas faltantes
  • La distribución del estrés es uniforme bajo el polarizador
Orientación 4pt/100
Dimensiones laterales medidas al lado más pequeño
Bordes Corte por láser
Orientación de los bordes <100>bordes
Orientación de la cara caras {100}
Tolerancia lateral Tolerancia L + W (0, +0,3 mm), tolerancia de espesor (0, +0,1 mm)
Lado 1, Rugosidad, Ra Dos lados pulidos, Ra< 20 nm
Un lado pulido
Sin pulir
Concentración de boro [B] <0,05 ppm
Concentración de nitrógeno < 20 ppm
Imágenes del producto

Contacto
Shaper Diamond Technology Co., Ltd

Persona de Contacto: Mrs. Alice Wang

Teléfono: + 86 13574841950

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