9x9x0.3 মিমি মেকানিক্যাল সিভিডি ডায়মন্ড কাঁচা কাটিয়া সিন্থেটিক ল্যাবরেটরি চাষ করা ডায়মন্ড বীজ

একক ক্রিস্টাল ডায়মন্ড CVD (রাসায়নিক বাষ্প জমা) বলতে এক ধরণের হীরককে বোঝায় যা CVD প্রক্রিয়া ব্যবহার করে তৈরি করা হয়। এই প্রক্রিয়ায়, কার্বন-যুক্ত গ্যাসের মিশ্রণ নিয়ন্ত্রিত পরিস্থিতিতে ভেঙে যায়, যার ফলে একটি সাবস্ট্রেটের উপর একক ক্রিস্টাল হীরকের একটি স্তর তৈরি হয়।

একক ক্রিস্টাল ডায়মন্ড CVD তার ব্যতিক্রমী কঠোরতা এবং তাপ পরিবাহিতার জন্য পরিচিত, যা এটিকে কাটিং এবং গ্রাইন্ডিং সরঞ্জাম, তাপ স্প্রেডার এবং অপটিক্যাল উপাদানগুলির মতো বিভিন্ন শিল্প ও বৈজ্ঞানিক অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযোগী করে তোলে।

• কঠোরতা (মাইক্রোহার্ডনেস): 80～150GPa
• ইয়ং-এর গুণাঙ্ক: 1150～1300GPa
• ঘর্ষণ সহগ: 0.05~0.05
• তাপীয় প্রসারণ সহগ: 10-.K-l
• তাপ পরিবাহিতা: 1500-2000 w/(m*K)

যেহেতু CVD হীরার মধ্যে কোনো ধাতব অনুঘটক নেই, তাই এর তাপীয় স্থিতিশীলতা প্রাকৃতিক হীরার কাছাকাছি। উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ চাপে কৃত্রিমভাবে সংশ্লেষিত পলিসিস্টালাইন হীরার মতো, CVD হীরার কণাগুলিও বিশৃঙ্খলভাবে সাজানো থাকে, ভঙ্গুর ক্লিভেজ প্লেন ছাড়াই, তাই এগুলি আইসোট্রপিক।

মাইক্রোওয়েভ প্লাজমা-সহায়ক রাসায়নিক বাষ্প জমা পদ্ধতি (MPACVD) ব্যবহার করে, মাইক্রোওয়েভ রেজোন্যান্স সিস্টেমটি কম এবং মাঝারি চাপে কার্বন-যুক্ত গ্যাস এবং ক্ষয়কারী গ্যাসকে ভেঙে প্লাজমা তৈরি করতে ব্যবহৃত হয় এবং একক-ক্রিস্টাল হীরক ক্রিস্টাল মডেলের বৃদ্ধির কৌশল ডিজাইন করা হয়েছে, যাতে হীরা স্ফটিক টাইপ IIb হীরা বীজ ক্রিস্টালের 100 এবং 110 এবং 111 বৃদ্ধির দিকে হোমোএপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধি অর্জন করতে পারে।